製造商產品編號:
IPP08CNE8N G
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPP08CNE8N G-DG
描述:
MOSFET N-CH 85V 95A TO220-3
详细描述:
N-Channel 85 V 95A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
庫存:
12800577
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IPP08CNE8N G 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
OptiMOS™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
85 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
95A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.4mOhm @ 95A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 130µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
99 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
6690 pF @ 40 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
167W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
IPP08C
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
額外資訊
標準套餐
500
其他名稱
IPP08CNE8NGXK
IPP08CNE8NG
IPP08CNE8N G-DG
IPP08CNE8NGX
SP000096466
SP000680846
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
3 (168 Hours)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TK34E10N1,S1X
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
5
部件號碼
TK34E10N1,S1X-DG
單位價格
0.53
替代類型
MFR Recommended
部件編號
PSMN4R6-60PS,127
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
7843
部件號碼
PSMN4R6-60PS,127-DG
單位價格
1.15
替代類型
MFR Recommended
部件編號
PSMN009-100P,127
製造商
NXP Semiconductors
可用數量
291
部件號碼
PSMN009-100P,127-DG
單位價格
1.44
替代類型
MFR Recommended
部件編號
PSMN5R0-80PS,127
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
23033
部件號碼
PSMN5R0-80PS,127-DG
單位價格
1.37
替代類型
MFR Recommended
部件編號
PSMN3R0-60PS,127
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
4251
部件號碼
PSMN3R0-60PS,127-DG
單位價格
1.62
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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